国内先进半导体装备提供商
专注 专业 高效 一流
主要技术指标
序号 | 指标名称 | 指标能内容 |
1 | 晶片尺寸 | 6~8英寸 |
2 | 注入能量范围（单价离子） | 5-180 keV |
3 | 注入元素 | P+、B+、BF+、As+ |
4 | 最大束流 | BF2+≥8mA @≥80keV B+≥4mA@≥80keV P+≥10mA@≥80keV As+≥10mA@≥80keV |
5 | 注入角度精度 | ≤0.2° |
6 | 注入均匀性（片内、片间） | 1σ≤0.5% @（6英寸、5E14、150keV） |
7 | 剂量范围 | 5E11～1E17 ions/cm2 |
8 | 装片方式 | 全自动单片方式 |
9 | 真空值 | <5E-7托 |
10 | X射线泄露值 | ≤0.6μSv/h |
11 | 扫描方式 | 水平静电扫描+垂直机械扫描 |
12 | 产能（WPH） | ≥350片/小时 |
主要特点
1. 可视化、智能化控制软件，设备操作和故障处理简单明了，设备稳定性高；
2. 长寿命离子源，≥500小时；
3. 具有二维束剖面量测功能，能精确测量Beam width和Beam High，有利于提高设备注入工艺效率
和注入剂量准确性和重复性；
4. 生产效率高，是同类型设备的1.5倍以上；
5. 具有图形注入功能，一次性注入剂量可设置成环形状或四象限区域分布，满
足用户特定工艺需求。例如，在一片晶圆的四个象限同时注入不同剂量，一次性实现四种工艺条件，
这样既可以节约客户的工艺开发成本，又能提高开发效率。